Spinorbitronics太赫兹发射的接口

14^th在材料科学与工程国际会议和展览

2017年11月13 - 15,|拉斯维加斯,美国

h . Jaffres郭宏源。见鬼,h . Nond Barbedienne,科林,n . Reyren尼古拉斯,人类。乔治,l·维拉j . Tignon l . Divay p . Bortolotti Dhillon

团结Mixte de体格CNRS-Thales、法国巴黎Diderot-Sorbonne巴黎引用法国Spintec,纳米科学研究所Cryogenie,法国泰利斯研究与技术,法国

ScientificTracks抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 011

文摘

旋转走廊效应在短期lengthscale散装Pt等重金属或W和旋轨道相关现象像Inverse-Edelstein效应在接口是目前新自旋电子学的基础功能。结合RF-spin-pumping铁磁共振(FMR)泵,旋轨道产生交流和直流spin-to-charge电流转换。这些技术相结合使探针接口质量和物理性质。以同样的方式,在一个延伸描述外FMR共振,最近报道,相对高功率太赫兹发射可能实现同样的异质结构组成的铁磁金属(FM)和non-FM电影通过动力旋转电荷转换和时间光谱(TDS)。在这种思想,我们将最后的结果太赫兹发射提供了优化的增长影响组成的高自旋轨道与铁磁材料接触layerCo / Pt,镍铁/非盟:W)。雷竞技网页版那些影响国家艺术实验模型系统结合RF-spin抽水,盼望spin-to-charge转换。这里,实验包括在令人兴奋的磁化和spin-currents调频层通过飞秒激光激励和测量,在皮秒时间尺度,放松相关的自旋和电荷电流负责太赫兹偶极发射。这些提供的太赫兹发射自旋电子学影响达到ZnTe半导体技术的力量。We 将 显示 第一 个 THz 排放 结果 obatined -Sn/InSb 拓扑 insulators.此外,为了研究她spin-current概要文件和地址的属性在那些(Co、镍)N / Pt和[有限公司镍]N /非盟:W多层膜,我们分析了他们的反常霍尔效应(AHE)信号出现特点AHE spin-inversion从Pt盟:W样本。 We analyze our results in the series of samples: the exact conductivity profile across the multilayers via the 'extended' Camley-Barnas approach and the spin current profile generated by spin-Hall effect. We will discuss the role of the generalized spin-mixing conductance on the spin-transport properties and spin-orbit torques.

传记

亨利Jaffres博士完成博士学位的物理系研究所国家科学des我们(早期)——图卢兹大学三世,法国,1999年。然后他加入了联合Mixte de体格CNRS-Thales Palaiseau,法国作为博士后(2000 - 2001)在加入CNRS在同一个学院。他的工作重点是自旋电子学,自旋注入,旋转运输、和自旋转移在半导体自旋电子学与电子和光学检测设备III-V异质结构,以及旋转走廊效应和spin-pumping IV组半导体。

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