ISSN: 2321 - 6212
Shaveta Sharma, Rita Sharma, R Thangaraj1, M Mian和Praveen Kumar
印度纳纳克Dev大学
印度DAV大学
海报和接受的摘要:Res. Rev. J Mat. science
DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 003
本文报道了添加物对热蒸发InxSb30−xSe70硫系薄膜结构、光学和光导性能的影响。XRD谱图中没有明显的衍射峰,表明样品为非晶态,EDS谱图证实了样品的基本化学计量薄膜。随着铟含量的增加,Sb2Se3结构单元在189和252 cm−1处的条带强度逐渐减弱,出现212 cm−1的新条带。利用200 ~ 1100 nm光谱范围内的透射率和反射率数据计算了间接光学带隙和尾流参数。本文讨论了基于本体系平均键能的结果。稳态和瞬态光电流测量的研究为光传感器器件的应用提供了各种半导体系统中载流子产生和复合现象的重要信息。在照明过程中,光电流的初始上升急剧接近一个稳态值,在停止照明后,光电流迅速衰减到一个恒定的持续电流。在不同组成和不同光强条件下,光电流衰减用拉伸指数函数拟合。这些结果对于开发用于太阳能电池应用的低成本光吸收器和可见区域响应式光传感器器件具有重要意义。