二硫化钼分层晶体的合成机制使用MoO3和硫磺粉化学汽相淀积

22^nd先进材料与纳米技术国际会议

2018年9月19日,东京,日本

jae -安,Se-Hun Kwon Cheol分钟Hyun Jeong-Hun崔Seung赢得李和Chang-Min金

韩国海洋和海洋大学,韩国釜山国立大学,韩国

海报和接受抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c4 - 024

文摘

单层二硫化钼分层晶体引起重大关注由于其潜在的适用性在新兴设备和化学气相沉积(CVD)是迄今为止最好的方法获得单层二硫化钼单晶。尽管许多研究已经发表在二硫化钼单层晶体增长了CVD,缺乏对其合成途径的理解。因此,在这项研究中,我们调查了合成通路机制当单层二硫化钼晶体合成了一个传统的CVD方法使用MoO3和硫磺粉。通过分析合成水晶和副产品,我们发现二硫化钼晶体合成2 d衬底上形成的一个中间阶段产生的固体MoO2减少MoO3硫,而不是直接从蒸发MoO3合成和硫磺。根据我们的观察,我们提出两种可能的反应机制二硫化钼合成通过CVD使用MoO3和硫磺粉。首先,二硫化钼晶体可能主要通过MoO2和硫磺蒸汽反应合成。坩埚中包含MoO3粉会减少MoO2而非硫化的二硫化钼的硫磺蒸汽。然后,蒸发MoO2可以与硫蒸汽反应形成二硫化钼晶体衬底。此外,我们发现二硫化钼分层的晶体也可以由成品MoO2晶体衬底。两种机制可能同时发生和MoO2的一个中间阶段的作用在这两个过程中都是非常重要的。

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