采用非晶氧化物薄膜晶体管的薄膜电路

4^th凝聚态与材料物理国际会议“，

2018年8月16日-17日|英国伦敦

李相烈

韩国清州大学

主题:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c2 - 016

摘要

采用射频磁控溅射技术制备了底栅结构的非晶氧化物薄膜晶体管(AOTFT)。AOTFTs在偏压和温度应力下表现出明显的稳定性变化，电学性能受Si比的影响较大，主要原因是Si原子具有良好的载流子抑制作用。因此，通过改变硅比，可以很容易地控制AOTFTs的阈值电压(Vth)。损耗负载逆变器模型仅由n型AOTFTs组成。该逆变器模型由Si比控制的消耗模式(d模式)和增强模式(e模式)之间的Vth差来运行。采用传统的NMOS逻辑电路模型，实现了NAND、NOR、ELSE等基于aotft的逻辑电路。本文提出的仅由n型aotft组成的逻辑电路在下一代集成电路应用中具有高性能和简单可控的薄膜类型。

传记

Sang Yeol Lee于1986年获得延世大学(韩国)电气工程系学士学位;1990年和1992年分别获美国纽约州立大学布法罗分校电子与计算机工程系硕士和博士学位。他曾是清州大学半导体工程系的正教授;先进半导体融合技术研究所正教授、所长。2002-2003年被美国洛斯阿拉莫斯国家实验室电子设备组邀请为访问学者。主要研究领域为氧化锌电子学，包括氧化物TFTs、led、透明导电氧化物、半导体加工、纳米电子学、存储器件和显示器。他主要对材料科学感兴趣。

电子邮件:(电子邮件保护)

• PDF
• 超文本标记语言