研究和评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志》上
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
标志着Zurbuchen
美国加州大学洛杉矶分校
主题:启J垫。Sci >
DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c8 - 034
问题的声明:尽管直接外延沉积/ facet-growth无数材料在实验室实验中,模拟结果表明,新缓冲区(interdiffusion-blocking)层是由微电子行业的迫切需要。需要“衬底不可知论者”缓冲层(s)对硅模板外延生长,甘、镍等。外延模板,特别是超薄氧化层,被证明是优秀的外延缓冲层,但外延的许多样品的制造材料化学或晶格不匹配而灰心丧气。这个演讲侧重于一个新的更好的方法来处理异构接口。一个有前途的新approach-topotactic阴离子交换(TAE)外延。的方法是独一无二的,有两个steps-1st前体层的外延沉积;和第二一个特殊气体退火的阴离子交换固体为他人;最终产生一个高度完美的外延薄膜产品的阶段。机会比比皆是,因为只有两个标准来满足:(a)最初的电影是制定匹配surface-symmetry类型和基体的晶格参数;(b)热,atmosphere-controlled一步启动topotactic反应。 Ideally, compositions for TAE layers are chosen with end members commensurate–as the reaction front passes through the solid. Cations are sessile with anions are relatively mobile. Anions are exchanged diffusively; but because the resultant material is a different phase altogether, conversion can dramatically alter the magneto-opto-electrical behaviors of the layers. Characterization requires finesse at the atomic level. The typical anions all have roughly the same atomic mass, making a discernment between the two phases complicated. The results of ex situ and in situ anion exchange experiments towards an epi buffer for Si and GaN will be presented. Further discussion of analyses thus far will be presented.
马克Zurbuchen副教授在EE和MS&E著名DRL(设备研究实验室)赢下CEGN项目和另外领导“2 d材料”亚群体和附属于“量子物理与设备”子群。他是一个薄膜的科学家。电子和x射线方法(XRD, TEM,同步加速器)。外延片和异质外延集成方面的专长。材料设计、薄膜沉积、微观结构表征、晶体学和电子的行为。氧化二维材料、电子、铁电体、电介质、热能、超导体、纳米热行为和生物材料。
电子邮件:(电子邮件保护)
